退火的目的：
1、降低硬度，改善切削加工性。
2、残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向。
3、细化晶粒，调整组回织答，组织缺陷。
4、均匀材料组织和成分，改善材料性能或为以后热处理做组织准备。
半导体退火：
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时，高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子发生位移，结果造成大量的空位。
将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区，所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火，以恢复晶体的结构和消除缺陷。
同时，退火还有激活施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C，比热扩散掺杂的温度要低得多。
以上内容参考：百度百科——退火 、百度百科——退火处理
