1、特点：
■内置单级有源功率因数校正，PF>0.
■原边反馈，无需光耦，TL431等器件
■高性能的线电压调整率和负载调整率
■±3%输出电流精度
■内置650V功率MOSFET
■启动电流(33uA)
■INV反馈电阻值高，功耗低
■多重保护功能
Ø LED开路/短路保护
Ø 电流采样电阻开路保护
Ø 逐周期原边电流限流
Ø 芯片供电过压/欠压保护
Ø 自动重启功能
Ø 过热调节功能
■采用SOP-8封装
2、管脚描述
3、推荐工作范围：
符号 名称 参数范围 单位
VDD 电源电压 8.5—18V V
Pout1 输出功率（输入电压230V±15%） <10 W
Pout2 输出功率（85V—265V） <7 W
注1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。
注2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由TJMAX,θJA,和环境温度TA所决定的。最大允许功耗为PDMAX=(TJMAX-TA)/θJA或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。
注3：人体模型，100pF电容通过1.5KΩ电阻放电。
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